Что такое FDD86250?
FDD86250 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDD86250, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 8A DPAK
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 150V 8A DPAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDD86250 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 150V 8A DPAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
20 ns
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn On Delay Time
11.2 ns
Product Parameter
Rise Time
3.7ns
Product Attribute
Part Status
Active
Turn-Off Delay Time
20 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
11.2 ns
Rise Time
3.7ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
8 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Published
2017
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Length
6.73mm
Series
PowerTrench®
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Resistance
45mOhm
Height
2.517mm
Weight
260.37mg
Power Dissipation
3.1W
Drain to Source Breakdown Voltage
150V
Continuous Drain Current (ID)
8A
Drain Current-Max (Abs) (ID)
8A
Fall Time (Typ)
4 ns
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
40A
Threshold Voltage
2.9V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Manufacturer's Part No.
FDD86250
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22m Ω @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A Ta 50A Tc
Power Dissipation-Max
3.1W Ta 132W Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2110pF @ 75V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDD86250, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDD86250?
Для FDD86250 указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 150V 8A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDD86250 в наличии?
Сейчас на странице указано 57500 шт. на складе и 57500 шт. доступно для FDD86250. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDD86250?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDD86250 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDD86250?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDD86250 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDD86250?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDD86250.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF2807PBF
223 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.27Добавить в список RFQ
FDB2532
129 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.92Добавить в список RFQ
IRFP064NPBF
158 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-247AC
Ориентировочная цена
$0.47Добавить в список RFQ
FDPF18N50
158 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
Ориентировочная цена
$1.40Добавить в список RFQ
FCPF22N60NT
170 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F
Ориентировочная цена
$3.84Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.