Что такое SUP85N10-10-E3?
SUP85N10-10-E3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SUP85N10-10-E3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SUP85N10-10-E3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
12 ns
Rise Time
90ns
Turn-Off Delay Time
55 ns
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Factory Lead Time
14 Weeks
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Published
2016
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
240A
Package / Case
TO-220-3
Avalanche Energy Rating (Eas)
280 mJ
Nominal Vgs
3 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Subcategory
FET General Purpose Powers
Series
TrenchFET®
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
85A Tc
Resistance
10.5mOhm
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Pin Count
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Width
4.7mm
Threshold Voltage
3V
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Continuous Drain Current (ID)
85A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Fall Time (Typ)
130 ns
Weight
6.000006g
Power Dissipation
250W
Length
10.41mm
Height
9.01mm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6550pF @ 25V
Manufacturer's Part No.
SUP85N10-10-E3
Power Dissipation-Max
3.75W Ta 250W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5m Ω @ 30A, 10V
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SUP85N10-10-E3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SUP85N10-10-E3?
Для SUP85N10-10-E3 указан корпус TO-220-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SUP85N10-10-E3 в наличии?
Сейчас на странице указано 12758 шт. на складе и 12758 шт. доступно для SUP85N10-10-E3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SUP85N10-10-E3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SUP85N10-10-E3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SUP85N10-10-E3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SUP85N10-10-E3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SUP85N10-10-E3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SUP85N10-10-E3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
SIA413DJ-T1-GE3
128 покупали
SC70-6
RoHS
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
Ориентировочная цена
$0.42Добавить в список RFQ
SI3483CDV-T1-E3
227 покупали
TSOP
RoHS
MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
Ориентировочная цена
$0.45Добавить в список RFQ
SIR410DP-T1-GE3
179 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Ориентировочная цена
$0.59Добавить в список RFQ
IRL1004SPBF
217 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.90Добавить в список RFQ
BSP129H6327XTSA1
130 покупали
SOT223
RoHS
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
Ориентировочная цена
$0.50Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.