Что такое SIA413DJ-T1-GE3?
SIA413DJ-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SIA413DJ-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SIA413DJ-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn On Delay Time
20 ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
70 ns
Product Parameter
Rise Time
40ns
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
20 ns
Turn-Off Delay Time
70 ns
Rise Time
40ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2009
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Element Configuration
Single
Height
750μm
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A Tc
Series
TrenchFET®
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
6
Pin Count
6
Vgs (Max)
±8V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Number of Terminations
4
Nominal Vgs
-1 V
Threshold Voltage
-1V
Continuous Drain Current (ID)
-12A
Drain to Source Breakdown Voltage
-12V
Fall Time (Typ)
40 ns
Width
2.05mm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
40A
Length
2.05mm
Power Dissipation-Max
3.5W Ta 19W Tc
Power Dissipation
3.5W
Package / Case
PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
1.5V 4.5V
Resistance
29MOhm
Manufacturer's Part No.
SIA413DJ-T1-GE3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29m Ω @ 6.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
S-XDSO-N4
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIA413DJ-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SIA413DJ-T1-GE3?
Для SIA413DJ-T1-GE3 указан корпус SC70-6. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SIA413DJ-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 30000 шт. на складе и 30000 шт. доступно для SIA413DJ-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SIA413DJ-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIA413DJ-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SIA413DJ-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIA413DJ-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SIA413DJ-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIA413DJ-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFR2307ZTRLPBF
131 покупали
2010
RoHS
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Ориентировочная цена
$100.00Добавить в список RFQ
IRFR2905ZTRPBF
148 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Ориентировочная цена
$1.67Добавить в список RFQ
IRLU3410PBF
220 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.44Добавить в список RFQ
FDN342P
189 покупали
SSOT-3
RoHS
MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3
Ориентировочная цена
$0.13Добавить в список RFQ
FQD2N100TM
163 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Ориентировочная цена
$0.53Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.