Что такое SI2337DS-T1-E3?
SI2337DS-T1-E3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SI2337DS-T1-E3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SI2337DS-T1-E3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Published
2011
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2011
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Series
TrenchFET®
Height
1.12mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Width
1.4mm
Length
3.04mm
Weight
1.437803g
Threshold Voltage
-2V
Fall Time (Typ)
15 ns
Resistance
270mOhm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Power Dissipation
760mW
Drain to Source Breakdown Voltage
-80V
Continuous Drain Current (ID)
-2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270m Ω @ 1.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.2A Tc
Power Dissipation-Max
760mW Ta 2.5W Tc
Manufacturer's Part No.
SI2337DS-T1-E3
Operating Temperature
-50°C~150°C TJ
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
20 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
10 ns
Rise Time
15ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
80V
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI2337DS-T1-E3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SI2337DS-T1-E3?
Для SI2337DS-T1-E3 указан корпус SOT23. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SI2337DS-T1-E3 в наличии?
Сейчас на странице указано 10986 шт. на складе и 10172 шт. доступно для SI2337DS-T1-E3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SI2337DS-T1-E3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI2337DS-T1-E3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SI2337DS-T1-E3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI2337DS-T1-E3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SI2337DS-T1-E3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI2337DS-T1-E3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFS4310TRLPBF
196 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.35Добавить в список RFQ
FDN337N
129 покупали
SSOT3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3
Ориентировочная цена
$0.07Добавить в список RFQ
IRFZ48NSTRLPBF
135 покупали
TO-263-3
RoHS
D2PAK MOSFET RoHS
Ориентировочная цена
$0.94Добавить в список RFQ
NTR4501NT1G
170 покупали
SOT-23
RoHS
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
Ориентировочная цена
$0.04Добавить в список RFQ
CSD18509Q5BT
151 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Ориентировочная цена
$1.09Добавить в список RFQ
FQD12N20LTM
179 покупали
TO-252
RoHS
N-Channel 200V 9A(Tc) 2V @ 250uA 280mΩ @ 4.5A,10V 55W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS
Ориентировочная цена
$0.34Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.