Поставка оригинальных FQD12N20LTM, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

N-Channel 200V 9A(Tc) 2V @ 250uA 280mΩ @ 4.5A,10V 55W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS

Поставка оригинальных FQD12N20LTM, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

FQD12N20LTM

Внутренний код

TCE000044773

Упаковка

TO-252

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

QFET®

Минимальное количество

1

Описание

N-Channel 200V 9A(Tc) 2V @ 250uA 280mΩ @ 4.5A,10V 55W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для FQD12N20LTM от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

N-Channel 200V 9A(Tc) 2V @ 250uA 280mΩ @ 4.5A,10V 55W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

REACH SVHC

No SVHC

Export Classifications & Environmental

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
7 Weeks
Published
2001
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Nominal Vgs
2 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250μA
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
5V 10V
Series
QFET®
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Power Dissipation
2.5W
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Current Rating
9A
Voltage - Rated DC
200V
Width
6.1mm
Length
6.6mm
Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Weight
260.37mg
Threshold Voltage
2V
Continuous Drain Current (ID)
9A
Drain Current-Max (Abs) (ID)
9A
Height
2.3mm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 25V
Fall Time (Typ)
120 ns
Resistance
280MOhm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 5V
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 55W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280m Ω @ 4.5A, 10V
Manufacturer's Part No.
FQD12N20LTM
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
60 ns
Turn On Delay Time
15 ns
Rise Time
190ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FQD12N20LTM, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое FQD12N20LTM?

FQD12N20LTM — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для FQD12N20LTM?

Для FQD12N20LTM указан корпус TO-252. Текущее описание товара: N-Channel 200V 9A(Tc) 2V @ 250uA 280mΩ @ 4.5A,10V 55W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли FQD12N20LTM в наличии?

Сейчас на странице указано 64351 шт. на складе и 11181 шт. доступно для FQD12N20LTM. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для FQD12N20LTM?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FQD12N20LTM от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для FQD12N20LTM?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FQD12N20LTM от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом FQD12N20LTM?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FQD12N20LTM.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.