Что такое SI2304BDS-T1-E3?
SI2304BDS-T1-E3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SI2304BDS-T1-E3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SI2304BDS-T1-E3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
19 ns
Product Parameter
Turn On Delay Time
7.5 ns
Product Parameter
Rise Time
12.5ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
19 ns
Turn On Delay Time
7.5 ns
Rise Time
12.5ns
Part Status
Active
Published
2008
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Power Dissipation
750mW
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Series
TrenchFET®
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Width
1.4mm
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Threshold Voltage
1.5V
Length
3.04mm
Nominal Vgs
1.5 V
Resistance
70mOhm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A Ta
Weight
1.437803g
Height
1.02mm
Power Dissipation-Max
750mW Ta
Fall Time (Typ)
12.5 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 15V
Continuous Drain Current (ID)
3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70m Ω @ 2.5A, 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID)
2.6A
Manufacturer's Part No.
SI2304BDS-T1-E3
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI2304BDS-T1-E3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SI2304BDS-T1-E3?
Для SI2304BDS-T1-E3 указан корпус SOT23. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SI2304BDS-T1-E3 в наличии?
Сейчас на странице указано 92859 шт. на складе и 78893 шт. доступно для SI2304BDS-T1-E3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SI2304BDS-T1-E3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI2304BDS-T1-E3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SI2304BDS-T1-E3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI2304BDS-T1-E3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SI2304BDS-T1-E3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI2304BDS-T1-E3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
SIR462DP-T1-GE3
219 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Ориентировочная цена
$3.50Добавить в список RFQ
IPB019N06L3GATMA1
182 покупали
TO263
RoHS
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Ориентировочная цена
$18.86Добавить в список RFQ
FQB22P10TM
133 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.09Добавить в список RFQ
FDD8770
214 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
Ориентировочная цена
$0.43Добавить в список RFQ
FDD8778
139 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
Ориентировочная цена
$0.67Добавить в список RFQ
IRLL2705TRPBF
149 покупали
SOT223
RoHS
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Ориентировочная цена
$0.25Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.