Что такое SIR462DP-T1-GE3?
SIR462DP-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SIR462DP-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SIR462DP-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
40
Product Parameter
Turn On Delay Time
20 ns
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
40
Turn On Delay Time
20 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Turn-Off Delay Time
25 ns
Rise Time
15ns
Part Status
Active
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2009
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Nominal Vgs
3 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Terminal Form
C BEND
Subcategory
FET General Purpose Powers
Weight
506.605978mg
Series
TrenchFET®
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Length
4.9mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Threshold Voltage
3V
Continuous Drain Current (ID)
30A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A Tc
Fall Time (Typ)
10 ns
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
70A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Height
1.04mm
Width
5.89mm
Power Dissipation-Max
4.8W Ta 41.7W Tc
DS Breakdown Voltage-Min
30V
Power Dissipation
4.8W
Manufacturer's Part No.
SIR462DP-T1-GE3
Resistance
7.9mOhm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.9m Ω @ 20A, 10V
JESD-609 Code
e3
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
JESD-30 Code
R-XDSO-C5
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIR462DP-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SIR462DP-T1-GE3?
Для SIR462DP-T1-GE3 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SIR462DP-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 72991 шт. на складе и 64518 шт. доступно для SIR462DP-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SIR462DP-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIR462DP-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SIR462DP-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIR462DP-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SIR462DP-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIR462DP-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF4905STRLPBF
133 покупали
RoHS
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.45Добавить в список RFQ
SIA456DJ-T1-GE3
160 покупали
SC70-6
RoHS
MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
Ориентировочная цена
$3.93Добавить в список RFQ
IRFS41N15DTRLP
164 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.25Добавить в список RFQ
IXFN24N100
213 покупали
SOT-
RoHS
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Ориентировочная цена
$12.00Добавить в список RFQ
IRF1310NSTRLPBF
144 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Ориентировочная цена
$5.00Добавить в список RFQ
IRF2804STRLPBF
166 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.50Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.