Что такое FDPF18N50T?
FDPF18N50T — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDPF18N50T, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
UniFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDPF18N50T от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Factory Lead Time
9 Weeks
Published
2013
Reach Compliance Code
not_compliant
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
72A
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A Tc
Current Rating
18A
Vgs (Max)
±30V
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Terminations
3
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Voltage - Rated DC
500V
Case Connection
ISOLATED
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Height
16.07mm
Weight
2.27g
Series
UniFET™
Length
10.36mm
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Width
4.9mm
Drain to Source Breakdown Voltage
500V
Continuous Drain Current (ID)
18A
Fall Time (Typ)
90 ns
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2860pF @ 25V
Power Dissipation
38.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs
265m Ω @ 9A, 10V
Power Dissipation-Max
38.5W Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Avalanche Energy Rating (Eas)
945 mJ
Manufacturer's Part No.
FDPF18N50T
Drain-source On Resistance-Max
0.265Ohm
Terminal Finish
Tin (Sn)
Turn On Delay Time
55 ns
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
95 ns
Rise Time
165ns
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDPF18N50T, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDPF18N50T?
Для FDPF18N50T указан корпус TO-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDPF18N50T в наличии?
Сейчас на странице указано 30264 шт. на складе и 30264 шт. доступно для FDPF18N50T. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDPF18N50T?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDPF18N50T от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDPF18N50T?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDPF18N50T от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDPF18N50T?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDPF18N50T.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDS9435A
202 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.19Добавить в список RFQ
BSS138W-7-F
225 покупали
SC70-3
RoHS
MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3
Ориентировочная цена
$0.02Добавить в список RFQ
BSP318SH6327XTSA1
148 покупали
TO-261-4
RoHS
MOSFET N-CH 60V 2.6A
Ориентировочная цена
$25.00Добавить в список RFQ
FDB070AN06A0
204 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Ориентировочная цена
$14.84Добавить в список RFQ
SIR492DP-T1-GE3
216 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Ориентировочная цена
$0.74Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.