Что такое FDS5672?
FDS5672 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDS5672, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDS5672 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Turn On Delay Time
13 ns
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
35 ns
Product Parameter
Rise Time
20ns
Product Attribute
Part Status
Active
Turn On Delay Time
13 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
35 ns
Rise Time
20ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
2001
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Height
1.75mm
Element Configuration
Single
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A Tc
Series
PowerTrench®
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Width
4mm
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Power Dissipation
2.5W
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Weight
130mg
Power Dissipation-Max
2.5W Ta
Current Rating
12A
Voltage - Rated DC
60V
Threshold Voltage
4V
Fall Time (Typ)
14 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Resistance
10MOhm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Continuous Drain Current (ID)
12mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10m Ω @ 12A, 10V
Manufacturer's Part No.
FDS5672
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDS5672, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDS5672?
Для FDS5672 указан корпус 8-SOIC. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDS5672 в наличии?
Сейчас на странице указано 25638 шт. на складе и 19220 шт. доступно для FDS5672. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDS5672?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDS5672 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDS5672?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDS5672 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDS5672?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDS5672.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF3205PBF
208 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.22Добавить в список RFQ
IRFR3411TRPBF
225 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Ориентировочная цена
$0.37Добавить в список RFQ
STD7NS20T4
211 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
Ориентировочная цена
$0.79Добавить в список RFQ
SI3437DV-T1-E3
153 покупали
TSOP
RoHS
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP
Ориентировочная цена
$0.37Добавить в список RFQ
FQD1N80TM
181 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Ориентировочная цена
$4.87Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.