Что такое FDMC7672S?
FDMC7672S — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDMC7672S, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®, SyncFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDMC7672S от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e4
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e4
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
S-PDSO-N5
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Factory Lead Time
23 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2010
Terminal Position
DUAL
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
750μm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Contact Plating
Gold
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Package / Case
8-PowerWDFN
Length
3.3mm
Width
3.3mm
Nominal Vgs
1.6 V
Threshold Voltage
1.6V
Weight
200mg
Continuous Drain Current (ID)
18A
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Power Dissipation
36W
Avalanche Energy Rating (Eas)
60 mJ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Fall Time (Typ)
3 ns
Additional Feature
ULTRA-LOW RESISTANCE
Series
PowerTrench®, SyncFET™
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
45A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6m Ω @ 14.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14.8A Ta 18A Tc
Manufacturer's Part No.
FDMC7672S
Power Dissipation-Max
2.3W Ta 36W Tc
Drain-source On Resistance-Max
0.006Ohm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2520pF @ 15V
Turn On Delay Time
11 ns
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
26 ns
Rise Time
4ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDMC7672S, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDMC7672S?
Для FDMC7672S указан корпус 2010. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 8-MLP. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDMC7672S в наличии?
Сейчас на странице указано 65606 шт. на складе и 41230 шт. доступно для FDMC7672S. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDMC7672S?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDMC7672S от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDMC7672S?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDMC7672S от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDMC7672S?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDMC7672S.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDC602P
143 покупали
SSOT-6
RoHS
MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.73Добавить в список RFQ
IRFU5410PBF
226 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.36Добавить в список RFQ
IRLR3915TRPBF
209 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Ориентировочная цена
$0.37Добавить в список RFQ
BSZ086P03NS3EGATMA1
182 покупали
RoHS
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Ориентировочная цена
$0.42Добавить в список RFQ
DMP2004K-7
220 покупали
SOT23
RoHS
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.02Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.