Что такое FDMS0310S?
FDMS0310S — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDMS0310S, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 19A
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®, SyncFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 19A
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDMS0310S от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 19A
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Published
2006
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
18 Weeks
Terminal Position
DUAL
Reach Compliance Code
not_compliant
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Package / Case
8-PowerTDFN
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Terminal Form
FLAT
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Weight
68.1mg
Height
1mm
Width
5mm
Length
6mm
Continuous Drain Current (ID)
42A
Drain Current-Max (Abs) (ID)
19A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
90A
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Fall Time (Typ)
4 ns
Avalanche Energy Rating (Eas)
60 mJ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
DS Breakdown Voltage-Min
30V
Series
PowerTrench®, SyncFET™
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 46W Tc
Manufacturer's Part No.
FDMS0310S
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4m Ω @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2820pF @ 15V
Drain-source On Resistance-Max
0.004Ohm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A Ta 42A Tc
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-PDSO-F5
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Channels
2
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Turn On Delay Time
12 ns
Turn-Off Delay Time
28 ns
Rise Time
5ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDMS0310S, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDMS0310S?
Для FDMS0310S указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 19A. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDMS0310S в наличии?
Сейчас на странице указано 59593 шт. на складе и 39619 шт. доступно для FDMS0310S. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDMS0310S?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDMS0310S от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDMS0310S?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDMS0310S от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDMS0310S?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDMS0310S.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFR3708TRPBF
191 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
Ориентировочная цена
$0.09Добавить в список RFQ
STD13NM60N
193 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Ориентировочная цена
$0.64Добавить в список RFQ
SI3483CDV-T1-E3
227 покупали
TSOP
RoHS
MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
Ориентировочная цена
$0.45Добавить в список RFQ
IRL3705ZSPBF
194 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
IRLI520NPBF
217 покупали
TO-220-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
Ориентировочная цена
$0.47Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.