Что такое FDMS8023S?
FDMS8023S — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDMS8023S, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®, SyncFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V POWER56
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDMS8023S от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V POWER56
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
18 Weeks
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Element Configuration
Single
Height
1.05mm
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Package / Case
8-PowerTDFN
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Terminal Form
FLAT
JEDEC-95 Code
MO-240AA
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Width
6mm
Weight
68.1mg
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Threshold Voltage
1.7V
Nominal Vgs
1.7 V
Continuous Drain Current (ID)
49A
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Fall Time (Typ)
4 ns
Drain Current-Max (Abs) (ID)
26A
Series
PowerTrench®, SyncFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3550pF @ 15V
Drain-source On Resistance-Max
0.0024Ohm
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4m Ω @ 26A, 10V
Power Dissipation
59W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
26A Ta 49A Tc
Manufacturer's Part No.
FDMS8023S
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 59W Tc
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-PDSO-F5
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
32 ns
Turn On Delay Time
12 ns
Rise Time
5ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDMS8023S, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDMS8023S?
Для FDMS8023S указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V POWER56. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDMS8023S в наличии?
Сейчас на странице указано 32005 шт. на складе и 11679 шт. доступно для FDMS8023S. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDMS8023S?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDMS8023S от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDMS8023S?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDMS8023S от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDMS8023S?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDMS8023S.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDS6675
132 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.76Добавить в список RFQ
IRFL4105TRPBF
165 покупали
SOT223
RoHS
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Ориентировочная цена
$0.52Добавить в список RFQ
FQB5N50CTM
201 покупали
TO-263
RoHS
N-Channel 500V 5A 4V @ 250uA 1.4Ω @ 2.5A,10V 73W TO-263-3 MOSFET RoHS
Ориентировочная цена
$0.80Добавить в список RFQ
NDB6060L
167 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
Ориентировочная цена
$0.63Добавить в список RFQ
FDD86250
128 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 150V 8A DPAK
Ориентировочная цена
$0.95Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.