Что такое FDMC6675BZ?
FDMC6675BZ — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDMC6675BZ, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDMC6675BZ от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e4
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e4
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
S-PDSO-N5
Terminal Finish
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Turn On Delay Time
11 ns
Turn-Off Delay Time
44 ns
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rise Time
10ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Factory Lead Time
23 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2010
Terminal Position
DUAL
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
750μm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Drain to Source Breakdown Voltage
-30V
Package / Case
8-PowerWDFN
Power Dissipation
2.3W
Length
3.3mm
Width
3.3mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Vgs (Max)
±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Threshold Voltage
-1.9V
Weight
200mg
Fall Time (Typ)
26 ns
Additional Feature
ULTRA-LOW RESISTANCE
Power Dissipation-Max
2.3W Ta 36W Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2865pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.5A Ta 20A Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.4m Ω @ 9.5A, 10V
Manufacturer's Part No.
FDMC6675BZ
Drain Current-Max (Abs) (ID)
40A
Continuous Drain Current (ID)
9.5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
32A
Resistance
14.4MOhm
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDMC6675BZ, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDMC6675BZ?
Для FDMC6675BZ указан корпус 2010. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDMC6675BZ в наличии?
Сейчас на странице указано 16332 шт. на складе и 13434 шт. доступно для FDMC6675BZ. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDMC6675BZ?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDMC6675BZ от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDMC6675BZ?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDMC6675BZ от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDMC6675BZ?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDMC6675BZ.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF5210STRLPBF
218 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.41Добавить в список RFQ
IRLZ34NSTRLPBF
153 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.36Добавить в список RFQ
FDD6680AS
204 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Ориентировочная цена
$0.44Добавить в список RFQ
IRFL024ZTRPBF
178 покупали
SOT223
RoHS
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Ориентировочная цена
$0.21Добавить в список RFQ
FQD1N60CTM
201 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Ориентировочная цена
$0.26Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.