Поставка оригинальных IRFL024ZTRPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223

Поставка оригинальных IRFL024ZTRPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IRFL024ZTRPBF

Внутренний код

TCE000045556

Упаковка

SOT223

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRFL024ZTRPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Factory Lead Time

12 Weeks

Product Attribute

Packaging

Tape & Reel (TR)

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2010
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Lead Free
Contains Lead, Lead Free
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Voltage - Rated DC
55V
Length
6.6802mm
Power Dissipation-Max
1W Ta
Additional Feature
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Current Rating
1A
Number of Terminations
4
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Width
3.7mm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Threshold Voltage
4V
Drain to Source Breakdown Voltage
55V
Power Dissipation
2.8W
Height
1.4478mm
Fall Time (Typ)
23 ns
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
57.5m Ω @ 3.1A, 10V
Continuous Drain Current (ID)
5.1A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.1A Ta
Resistance
57.5MOhm
Manufacturer's Part No.
IRFL024ZTRPBF
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
JESD-30 Code
R-PDSO-G4
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
30 ns
Dual Supply Voltage
55V
Rise Time
21ns
Turn On Delay Time
7.8 ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRFL024ZTRPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRFL024ZTRPBF?

IRFL024ZTRPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRFL024ZTRPBF?

Для IRFL024ZTRPBF указан корпус SOT223. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRFL024ZTRPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 52250 шт. на складе и 11197 шт. доступно для IRFL024ZTRPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRFL024ZTRPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRFL024ZTRPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRFL024ZTRPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRFL024ZTRPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRFL024ZTRPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRFL024ZTRPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.