Что такое FDMC86102?
FDMC86102 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDMC86102, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8-MLP
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 100V 8-MLP
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDMC86102 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 100V 8-MLP
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
950μm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Factory Lead Time
40 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)
72 mJ
Package / Case
8-PowerTDFN
Series
PowerTrench®
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Power Dissipation
2.3W
JEDEC-95 Code
MO-240BA
Power Dissipation-Max
2.3W Ta 41W Tc
Weight
32.13mg
Continuous Drain Current (ID)
20A
Width
3.4mm
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Drain Current-Max (Abs) (ID)
7A
Fall Time (Typ)
4 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Resistance
24MOhm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
30A
Threshold Voltage
3.1V
Manufacturer's Part No.
FDMC86102
Nominal Vgs
3.1 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
965pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A Ta 20A Tc
Length
3.4mm
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24m Ω @ 7A, 10V
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
14 ns
Turn On Delay Time
8 ns
Terminal Finish
Nickel/Palladium (Ni/Pd)
Rise Time
4ns
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e4
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
S-PDSO-N5
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDMC86102, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDMC86102?
Для FDMC86102 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 100V 8-MLP. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDMC86102 в наличии?
Сейчас на странице указано 88674 шт. на складе и 76455 шт. доступно для FDMC86102. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDMC86102?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDMC86102 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDMC86102?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDMC86102 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDMC86102?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDMC86102.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IXFN200N07
225 покупали
SOT-
RoHS
MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
Ориентировочная цена
$18.85Добавить в список RFQ
SI3443CDV-T1-GE3
195 покупали
SOT-23-6
RoHS
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Ориентировочная цена
$0.10Добавить в список RFQ
SI2312BDS-T1-GE3
196 покупали
SOT23
RoHS
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.11Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.