Что такое FDMS6681Z?
FDMS6681Z — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDMS6681Z, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDMS6681Z от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-PDSO-N5
Turn-Off Delay Time
260 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Turn On Delay Time
15 ns
Rise Time
38ns
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Terminal Position
DUAL
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
1.1mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Published
2017
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Package / Case
8-PowerTDFN
Series
PowerTrench®
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Power Dissipation
2.5W
Width
6mm
Weight
68.1mg
Drain to Source Breakdown Voltage
-30V
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Vgs (Max)
±25V
Threshold Voltage
-1.7V
Resistance
3.2mOhm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
241nC @ 10V
Manufacturer's Part No.
FDMS6681Z
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10380pF @ 15V
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 73W Tc
Feedback Cap-Max (Crss)
2020 pF
Continuous Drain Current (ID)
-21.1A
Fall Time (Typ)
197 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2m Ω @ 22.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21.1A Ta 49A Tc
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDMS6681Z, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDMS6681Z?
Для FDMS6681Z указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDMS6681Z в наличии?
Сейчас на странице указано 17371 шт. на складе и 15850 шт. доступно для FDMS6681Z. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDMS6681Z?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDMS6681Z от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDMS6681Z?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDMS6681Z от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDMS6681Z?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDMS6681Z.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF4104SPBF
205 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.93Добавить в список RFQ
IRF5210PBF
169 покупали
TO-
RoHS
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.58Добавить в список RFQ
IRFIB41N15DPBF
200 покупали
TO-220-3
RoHS
MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP
Ориентировочная цена
$0.43Добавить в список RFQ
FDD8778
139 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
Ориентировочная цена
$0.67Добавить в список RFQ
SIA408DJ-T1-GE3
142 покупали
SC70-6
RoHS
MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
Ориентировочная цена
$0.40Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.