Поставка оригинальных IRF5210PBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Доступность
Диапазон цен
| Качество | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | |
| 10 | |
| 30 | |
| 100 | |
| 500 | |
| 1,000 |
Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.
Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.
Обзор
The Infineon Technologies IRF5210PBF is a 100V, 24A, 500W N-channel MOSFET in a TO-220AB package. It is a highly efficient and reliable MOSFET that is ideal for a wide variety of applications, including motor control, power supplies, and inverter circuits.
Key Features
- Very low on-resistance (Rds(on)) of 60mΩ max.
- Fast switching speed
- High breakdown voltage (Vds) of 100V
- High current capability (Id) of 24A
- High power dissipation (Pd) of 200W
Benefits
- Improved efficiency and reduced power consumption
- Reduced switching losses
- Increased reliability and ruggedness
- Ability to handle high currents and voltages
- Suitable for a wide range of applications
Applications
- DC motor control
- Switching power supplies
- AC motor drives
- Inverters
- Battery chargers
- Solar energy systems
Electrical Characteristics
- Vds: 100V
- Id: 24A
- Rds(on) ≤ 60mΩ
- Tj: -55°C to +175°C
- Tstg: -55°C to +150°C
- TL: 1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s: 300°C
- TSOLD: Plastic Body for 10s: 260°C
- Md: Mounting Torque (TO-220): 1.13/10 Nm/lb.in.
- FC: Mounting Force (PLUS247): 20..120 /4.5..27. N/lb.
- Weight: TO-220: 10 g, PLUS247: 6 g
Package
- TO-220AB
Product Attribute
Export Classifications & Environmental
Product Parameter
Статьи
Это руководство представляет собой прямое сравнение поколений HBM (вплоть до HBM3e), анализирует рыночный ландшафт, в котором доминируют SK Hynix, Samsung и Micron, и предлагает важнейший контрольный список для закупок. Оно завершается практическим примером, дающим рекомендации по требованиям к емкости и пропускной способности (например, для LLM с 175 млрд параметров), что позволяет компаниям принимать обоснованные решения для своих высокопроизводительных систем ИИ.
Кризис Nexperia, вызванный геополитическим противостоянием с законным поглощением и ответными санкциями, представляет собой самый серьезный риск для глобальной цепочки поставок полупроводников за последнее время, требуя немедленного анализа узких мест в поставках и влияния на цены для всех покупателей компонентов.
Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.
Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.