Что такое FDMA430NZ?
FDMA430NZ — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDMA430NZ, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDMA430NZ от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e4
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e4
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
16 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Weight
30mg
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Contact Plating
Gold
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Length
2mm
Width
2mm
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Package / Case
6-VDFN Exposed Pad
Power Dissipation-Max
2.4W Ta
Power Dissipation
900mW
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
20A
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
2.5V 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Drain Current-Max (Abs) (ID)
5A
Continuous Drain Current (ID)
5A
Resistance
40mOhm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5A Ta
Fall Time (Typ)
7.1 ns
Height
825μm
Nominal Vgs
810 mV
Threshold Voltage
810mV
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40m Ω @ 5A, 4.5V
Manufacturer's Part No.
FDMA430NZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 10V
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
30V
Turn On Delay Time
8.3 ns
Rise Time
7.1ns
Turn-Off Delay Time
18.1 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDMA430NZ, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDMA430NZ?
Для FDMA430NZ указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDMA430NZ в наличии?
Сейчас на странице указано 18000 шт. на складе и 18000 шт. доступно для FDMA430NZ. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDMA430NZ?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDMA430NZ от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDMA430NZ?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDMA430NZ от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDMA430NZ?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDMA430NZ.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFS3207TRLPBF
224 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.18Добавить в список RFQ
NTD4815N-35G
139 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
Ориентировочная цена
$0.24Добавить в список RFQ
IRL3713STRLPBF
216 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Ориентировочная цена
$18.76Добавить в список RFQ
FDS8880
168 покупали
8SOIC
RoHS
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Ориентировочная цена
$3.30Добавить в список RFQ
STB155N3LH6
172 покупали
TO-252
RoHS
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.82Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.