Что такое FDMS86101?
FDMS86101 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDMS86101, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDMS86101 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2009
Factory Lead Time
10 Weeks
Terminal Position
DUAL
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
1.1mm
Width
6.25mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Resistance
8MOhm
Package / Case
8-PowerTDFN
Series
PowerTrench®
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 104W Tc
Power Dissipation
2.5W
JEDEC-95 Code
MO-240AA
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Weight
68.1mg
Length
5.1mm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
200A
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Continuous Drain Current (ID)
60A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Fall Time (Typ)
7 ns
Threshold Voltage
2.9V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8m Ω @ 13A, 10V
Manufacturer's Part No.
FDMS86101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.4A Ta 60A Tc
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-PDSO-N5
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Rise Time
11ns
Turn On Delay Time
15 ns
Turn-Off Delay Time
27 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDMS86101, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDMS86101?
Для FDMS86101 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDMS86101 в наличии?
Сейчас на странице указано 39896 шт. на складе и 19112 шт. доступно для FDMS86101. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDMS86101?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDMS86101 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDMS86101?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDMS86101 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDMS86101?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDMS86101.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
MMBF170-7-F
174 покупали
SOT23
RoHS
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.02Добавить в список RFQ
STB4NK60ZT4
196 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.75Добавить в список RFQ
SIR466DP-T1-GE3
131 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Ориентировочная цена
$2.64Добавить в список RFQ
IRFR3504ZTRPBF
187 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Ориентировочная цена
$0.80Добавить в список RFQ
STD1NK80ZT4
160 покупали
TO-252-
RoHS
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Ориентировочная цена
$0.62Добавить в список RFQ
DMN100-7-F
224 покупали
SC59-3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Ориентировочная цена
$0.14Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.