Что такое BAS21SLT1G?
BAS21SLT1G — это компонент категории Диоды - Выпрямители - Массивы от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных BAS21SLT1G, Диоды - Выпрямители - Массивы, от ON Semiconductor
DIODE ARRAY GP 250V 225MA SOT23
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Диоды - Выпрямители - МассивыОписание
DIODE ARRAY GP 250V 225MA SOT23
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для BAS21SLT1G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
The BAS21SLT1G is a small signal switching diode from ON Semiconductor. It is commonly used in electronic circuits for applications such as signal rectification and switching.
Key Features:
- Fast Switching Speed: Suitable for applications requiring rapid switching.
- Low Forward Voltage Drop: Efficient operation with low power loss.
- High Surge Capability: Capable of withstanding high surge currents.
- Miniature SOT-23 Surface Mount Package: Compact package size for space-constrained designs.
- RoHS Compliant: Meets environmental standards for hazardous substances.
Applications:
- Signal Rectification: Used in circuits where AC signals need to be converted to DC.
- Switching Applications: Suitable for electronic switches and inverters.
- Voltage Clamping: Used for voltage regulation and transient suppression.
- High-Speed Switching: Applications requiring fast switching speeds.
- General Purpose Diode Applications: Widely used in various electronic devices and circuits.
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Product Parameter
Current - Reverse Leakage @ Vr
100nA @ 200V
Product Parameter
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.25V @ 200mA
Product Parameter
Number of Elements
2
Product Parameter
Diode Element Material
SILICON
Product Parameter
Forward Voltage
1.25V
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr
100nA @ 200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.25V @ 200mA
Number of Elements
2
Diode Element Material
SILICON
Forward Voltage
1.25V
Diode Type
Standard
Capacitance
5pF
Operating Temperature - Junction
-55°C~150°C
Max Reverse Leakage Current
1μA
Reverse Recovery Time
50 ns
Peak Reverse Current
100μA
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
250V
Max Reverse Voltage (DC)
250V
Max Forward Surge Current (Ifsm)
625mA
Peak Non-Repetitive Surge Current
625mA
Max Surge Current
625mA
Average Rectified Current
225mA
Forward Current
225mA
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Min Operating Temperature
-55°C
Factory Lead Time
4 Weeks
Halogen Free
Halogen Free
Packaging
Cut Tape (CT)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Categories
Discrete Semiconductor Products
Subcategory
Rectifier Diodes
HTS Code
8541.10.00.70
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Sub-Categories
Diodes - Rectifiers - Arrays
Diode Configuration
1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io)
225mA DC
Surface Mount
YES
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Number of Terminations
3
Width
1.4mm
Power Dissipation
300mW
Max Operating Temperature
150°C
Length
3.04mm
Height
1.01mm
Recovery Time
50 ns
Base Part Number
BAS21S
Manufacturer's Part No.
BAS21SLT1G
Current Rating
225mA
Output Current-Max
0.225A
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.10.0070
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют BAS21SLT1G, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для BAS21SLT1G?
Для BAS21SLT1G указан корпус SOT23. Текущее описание товара: DIODE ARRAY GP 250V 225MA SOT23. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли BAS21SLT1G в наличии?
Сейчас на странице указано 18323 шт. на складе и 14059 шт. доступно для BAS21SLT1G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для BAS21SLT1G?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для BAS21SLT1G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для BAS21SLT1G?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для BAS21SLT1G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом BAS21SLT1G?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для BAS21SLT1G.
Диоды - Выпрямители - Массивы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
BAT54CXV3T1G
146 покупали
SC89-3
RoHS
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SC89-3
Ориентировочная цена
$0.11Добавить в список RFQ
MURB1620CTT4G
151 покупали
RoHS
DIODE ARRAY GP 200V 8A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.72Добавить в список RFQ
MURF1660CTG
192 покупали
TO-220-3
RoHS
DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220FP
Ориентировочная цена
$0.95Добавить в список RFQ
BAS16DXV6T1G
138 покупали
SOT563
RoHS
DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563
Ориентировочная цена
$0.05Добавить в список RFQ
BAV70W-7-F
139 покупали
SOT323
RoHS
DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT323
Ориентировочная цена
$0.01Добавить в список RFQ
BAV70T116
183 покупали
0603
RoHS
DIODE ARRAY GP 70V 215MA SSD3
Ориентировочная цена
$0.06Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.