Поставка оригинальных IRF7104TRPBF, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Infineon Technologies

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Поставка оригинальных IRF7104TRPBF, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IRF7104TRPBF

Внутренний код

TCE000044553

Упаковка

8-SOIC

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRF7104TRPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

REACH SVHC

No SVHC

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
1997
Packaging
Tape & Reel (TR)
Width
3.9878mm
Termination
SMD/SMT
Terminal Form
GULL WING
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Max Power Dissipation
2W
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Length
4.9784mm
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Voltage - Rated DC
-20V
Drain to Source Breakdown Voltage
-20V
Element Configuration
Dual
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Height
1.4986mm
Power Dissipation
2W
Resistance
250mOhm
Row Spacing
6.3 mm
Additional Feature
ULTRA LOW RESISTANCE
Fall Time (Typ)
30 ns
Recovery Time
100 ns
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Threshold Voltage
-3V
Nominal Vgs
-3 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250m Ω @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 15V
Current Rating
-2.3A
Manufacturer's Part No.
IRF7104TRPBF
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
10A
Continuous Drain Current (ID)
-2.3A
Base Part Number
IRF7104PBF
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rise Time
16ns
Dual Supply Voltage
-20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Number of Elements
2
Turn-Off Delay Time
42 ns
Turn On Delay Time
12 ns
FET Feature
Logic Level Gate

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRF7104TRPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRF7104TRPBF?

IRF7104TRPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRF7104TRPBF?

Для IRF7104TRPBF указан корпус 8-SOIC. Текущее описание товара: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRF7104TRPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 56338 шт. на складе и 22301 шт. доступно для IRF7104TRPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRF7104TRPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRF7104TRPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRF7104TRPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRF7104TRPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRF7104TRPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRF7104TRPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.