Поставка оригинальных FDG8842CZ, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от ON Semiconductor

MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6

Поставка оригинальных FDG8842CZ, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

FDG8842CZ

Внутренний код

TCE000045318

Упаковка

SC70-6

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

PowerTrench®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для FDG8842CZ от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Published
2007
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Termination
SMD/SMT
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Terminal Form
GULL WING
Qualification Status
Not Qualified
Manufacturer
ON Semiconductor
Width
1.25mm
Power Dissipation
360mW
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Subcategory
Other Transistors
Nominal Vgs
1 V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Weight
28mg
Resistance
400mOhm
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Height
1mm
Length
2mm
Element Configuration
Dual
Max Power Dissipation
300mW
Fall Time (Typ)
16 ns
Threshold Voltage
1V
Drain to Source Breakdown Voltage
25V
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Gate to Source Voltage (Vgs)
-8V
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
FET Type
N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 10V
Manufacturer's Part No.
FDG8842CZ
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400m Ω @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.44nC @ 4.5V
Continuous Drain Current (ID)
750mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
750mA 410mA
Drain Current-Max (Abs) (ID)
0.75A
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rise Time
16ns
Number of Elements
2
Dual Supply Voltage
30V
Turn-Off Delay Time
35 ns
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V 25V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDG8842CZ, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое FDG8842CZ?

FDG8842CZ — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для FDG8842CZ?

Для FDG8842CZ указан корпус SC70-6. Текущее описание товара: MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли FDG8842CZ в наличии?

Сейчас на странице указано 77329 шт. на складе и 22713 шт. доступно для FDG8842CZ. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для FDG8842CZ?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDG8842CZ от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для FDG8842CZ?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDG8842CZ от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом FDG8842CZ?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDG8842CZ.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.