Поставка оригинальных IRF7832TRPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

Поставка оригинальных IRF7832TRPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IRF7832TRPBF

Внутренний код

TCE000044554

Упаковка

8-SOIC

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRF7832TRPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Rise Time

6.7ns

Product Parameter

Number of Channels

1

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Dual Supply Voltage

30V

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

21 ns

Product Parameter

Turn On Delay Time

12 ns

Rise Time
6.7ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
30V
Turn-Off Delay Time
21 ns
Turn On Delay Time
12 ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
2005
Packaging
Tape & Reel (TR)
Width
3.9878mm
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Height
1.75mm
Element Configuration
Single
Lead Free
Contains Lead, Lead Free
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Current Rating
20A
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Length
4.9784mm
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Power Dissipation
2.5W
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Power Dissipation-Max
2.5W Ta
Voltage - Rated DC
30V
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Fall Time (Typ)
13 ns
Continuous Drain Current (ID)
20A
Operating Temperature
-55°C~155°C TJ
Max Junction Temperature (Tj)
155°C
Row Spacing
6.3 mm
Avalanche Energy Rating (Eas)
260 mJ
Resistance
4mOhm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4m Ω @ 20A, 10V
Threshold Voltage
2.32V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.32V @ 250μA
Nominal Vgs
2.32 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4310pF @ 15V
Recovery Time
62 ns
Manufacturer's Part No.
IRF7832TRPBF
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRF7832TRPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRF7832TRPBF?

IRF7832TRPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRF7832TRPBF?

Для IRF7832TRPBF указан корпус 8-SOIC. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRF7832TRPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 19747 шт. на складе и 16102 шт. доступно для IRF7832TRPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRF7832TRPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRF7832TRPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRF7832TRPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRF7832TRPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRF7832TRPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRF7832TRPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.