Поставка оригинальных IRFP250NPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC

Поставка оригинальных IRFP250NPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IRFP250NPBF

Внутренний код

TCE000044563

Упаковка

TO-

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRFP250NPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Product Parameter

Rise Time

43ns

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Turn On Delay Time

14 ns

Product Parameter

Dual Supply Voltage

200V

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

41 ns

Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Rise Time
43ns
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
14 ns
Dual Supply Voltage
200V
Turn-Off Delay Time
41 ns
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Packaging
Tube
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
2004
Element Configuration
Single
Lead Free
Contains Lead, Lead Free
Peak Reflow Temperature (Cel)
250
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Additional Feature
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Package / Case
TO-247-3
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Termination
Through Hole
Current Rating
30A
Width
5.3mm
Voltage - Rated DC
200V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Continuous Drain Current (ID)
30A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A Tc
Resistance
75mOhm
Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Fall Time (Typ)
33 ns
JEDEC-95 Code
TO-247AC
Height
20.2946mm
Length
15.875mm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
123nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2159pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75m Ω @ 18A, 10V
Manufacturer's Part No.
IRFP250NPBF
Recovery Time
279 ns
Power Dissipation
214W
Power Dissipation-Max
214W Tc
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRFP250NPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRFP250NPBF?

IRFP250NPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRFP250NPBF?

Для IRFP250NPBF указан корпус TO-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRFP250NPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 33519 шт. на складе и 33519 шт. доступно для IRFP250NPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRFP250NPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRFP250NPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRFP250NPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRFP250NPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRFP250NPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRFP250NPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.