Что такое CSD17312Q5?
CSD17312Q5 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Texas InstrumentsДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных CSD17312Q5, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
RoHS
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
NexFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
Основные характеристики
-
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Contains Lead
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Manufacturer
Texas
Element Configuration
Single
Height
1.05mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Series
NexFET™
Package / Case
8-PowerTDFN
Contact Plating
Gold
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Width
6mm
Thickness
1mm
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
200A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38A Ta 100A Tc
Continuous Drain Current (ID)
100A
Gate to Source Voltage (Vgs)
10V
Vgs (Max)
+10V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
3V 8V
Power Dissipation
3.2W
Power Dissipation-Max
3.2W Ta
Fall Time (Typ)
23 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 4.5V
Threshold Voltage
1.1V
Drain-source On Resistance-Max
0.0024Ohm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5240pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5m Ω @ 35A, 8V
Base Part Number
CSD17312
Manufacturer's Part No.
CSD17312Q5
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn On Delay Time
9.5 ns
Rise Time
27ns
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
35 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD17312Q5, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для CSD17312Q5?
Для CSD17312Q5 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 100A 8SON. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли CSD17312Q5 в наличии?
Сейчас на странице указано 91507 шт. на складе и 91507 шт. доступно для CSD17312Q5. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для CSD17312Q5?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD17312Q5 от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для CSD17312Q5?
Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD17312Q5 от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.
Что нужно проверить перед заказом CSD17312Q5?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD17312Q5.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IPB036N12N3GATMA1
203 покупали
TO263
RoHS
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Ориентировочная цена
$84.40Добавить в список RFQ
IRF3805STRLPBF
181 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.64Добавить в список RFQ
IRFB4610PBF
146 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
Ориентировочная цена
$1.07Добавить в список RFQ
FDN359AN
146 покупали
SSOT-3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
Ориентировочная цена
$0.25Добавить в список RFQ
FQD19N10LTM
170 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Ориентировочная цена
$0.70Добавить в список RFQ
FDPF51N25
172 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
Ориентировочная цена
$1.01Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.