Поставка оригинальных IRF7313TRPBF, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Infineon Technologies

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Поставка оригинальных IRF7313TRPBF, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IRF7313TRPBF

Внутренний код

TCE000044566

Упаковка

8-SOIC

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRF7313TRPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Product Parameter

Number of Channels

2

Product Parameter

Number of Elements

2

Product Parameter

Dual Supply Voltage

30V

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

26 ns

Product Parameter

Turn On Delay Time

8.1 ns

FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Channels
2
Number of Elements
2
Dual Supply Voltage
30V
Turn-Off Delay Time
26 ns
Turn On Delay Time
8.1 ns
FET Feature
Standard
Rise Time
8.9ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
2002
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Height
1.75mm
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Max Power Dissipation
2W
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Nominal Vgs
1 V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Length
4.9784mm
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Voltage - Rated DC
30V
Element Configuration
Dual
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Current Rating
6.5A
Power Dissipation
2W
Fall Time (Typ)
17 ns
Threshold Voltage
1V
Row Spacing
6.3 mm
Continuous Drain Current (ID)
6.5A
Recovery Time
68 ns
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
30A
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Resistance
29MOhm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Width
4.05mm
Base Part Number
IRF7313PBF
Manufacturer's Part No.
IRF7313TRPBF
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29m Ω @ 5.8A, 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRF7313TRPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRF7313TRPBF?

IRF7313TRPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRF7313TRPBF?

Для IRF7313TRPBF указан корпус 8-SOIC. Текущее описание товара: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRF7313TRPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 34751 шт. на складе и 34213 шт. доступно для IRF7313TRPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRF7313TRPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRF7313TRPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRF7313TRPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRF7313TRPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRF7313TRPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRF7313TRPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.