Что такое FCD600N60Z?
FCD600N60Z — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FCD600N60Z, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
SuperFET® II
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FCD600N60Z от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Turn On Delay Time
13 ns
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
39 ns
Rise Time
7ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
15 Weeks
Published
2010
Packaging
Digi-Reel®
Terminal Form
GULL WING
Reach Compliance Code
not_compliant
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
2.39mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
JEDEC-95 Code
TO-252AA
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Length
6.73mm
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Fall Time (Typ)
8 ns
Weight
260.37mg
Power Dissipation
89W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250μA
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Power Dissipation-Max
89W Tc
Series
SuperFET® II
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.4A Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1120pF @ 25V
Base Part Number
FCD600N60
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
22.2A
Manufacturer's Part No.
FCD600N60Z
Continuous Drain Current (ID)
7.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600m Ω @ 3.7A, 10V
Drain-source On Resistance-Max
0.6Ohm
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FCD600N60Z, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FCD600N60Z?
Для FCD600N60Z указан корпус 2010. Текущее описание товара: MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FCD600N60Z в наличии?
Сейчас на странице указано 61747 шт. на складе и 19604 шт. доступно для FCD600N60Z. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FCD600N60Z?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FCD600N60Z от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FCD600N60Z?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FCD600N60Z от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FCD600N60Z?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FCD600N60Z.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF2907ZS-7PPBF
135 покупали
TO-263-7
RoHS
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7
Ориентировочная цена
$2.70Добавить в список RFQ
FQP12N60C
208 покупали
TO-220
RoHS
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
Ориентировочная цена
$1.06Добавить в список RFQ
SIR410DP-T1-GE3
179 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Ориентировочная цена
$0.59Добавить в список RFQ
IRFU9120PBF
144 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.72Добавить в список RFQ
IRFU120NPBF
220 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.12Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.