Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

Поставка оригинальных FQD13N10TM, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

N-Channel 100V 10A(Tc) 4V @ 250uA 180mΩ @ 5A,10V 40W(Tc) D-PAK MOSFET RoHS

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных FQD13N10TM, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

FQD13N10TM

Внутренний код

TCE000044774

Упаковка

TO-252-3

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

QFET®

Минимальное количество

1

Категория

Дискретные полупроводниковые изделия

Подкатегория

Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

Описание

N-Channel 100V 10A(Tc) 4V @ 250uA 180mΩ @ 5A,10V 40W(Tc) D-PAK MOSFET RoHS

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для FQD13N10TM от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

N-Channel 100V 10A(Tc) 4V @ 250uA 180mΩ @ 5A,10V 40W(Tc) D-PAK MOSFET RoHS

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
7 Weeks
Published
2001
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Form
GULL WING
Current Rating
10A
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Resistance
180mOhm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A Tc
Series
QFET®
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Power Dissipation
2.5W
Voltage - Rated DC
100V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Width
6.1mm
Fall Time (Typ)
25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Vgs (Max)
±25V
Length
6.6mm
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Threshold Voltage
4V
Weight
260.37mg
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 25V
Height
2.3mm
Continuous Drain Current (ID)
10A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
40A
Avalanche Energy Rating (Eas)
95 mJ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Manufacturer's Part No.
FQD13N10TM
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 40W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180m Ω @ 5A, 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Turn-Off Delay Time
20 ns
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
5 ns
Rise Time
55ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FQD13N10TM, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое FQD13N10TM?

FQD13N10TM — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для FQD13N10TM?

Для FQD13N10TM указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: N-Channel 100V 10A(Tc) 4V @ 250uA 180mΩ @ 5A,10V 40W(Tc) D-PAK MOSFET RoHS. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли FQD13N10TM в наличии?

Сейчас на странице указано 33608 шт. на складе и 21976 шт. доступно для FQD13N10TM. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для FQD13N10TM?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FQD13N10TM от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для FQD13N10TM?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FQD13N10TM от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом FQD13N10TM?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FQD13N10TM.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

Читать

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

Читать

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

Читать