Что такое FQD17P06TM?
FQD17P06TM — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FQD17P06TM, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
QFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FQD17P06TM от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Turn On Delay Time
13 ns
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
22 ns
Product Parameter
Rise Time
100ns
Product Attribute
Part Status
Active
Turn On Delay Time
13 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
22 ns
Rise Time
100ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
4 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2014
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
2.39mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drain to Source Breakdown Voltage
-60V
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Threshold Voltage
-4V
Length
6.73mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A Tc
Series
QFET®
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Power Dissipation
2.5W
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Vgs (Max)
±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
48A
Current Rating
-12A
Weight
260.37mg
Fall Time (Typ)
60 ns
Voltage - Rated DC
-60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 25V
Resistance
135mOhm
Continuous Drain Current (ID)
12mA
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 44W Tc
Manufacturer's Part No.
FQD17P06TM
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135m Ω @ 6A, 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FQD17P06TM, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FQD17P06TM?
Для FQD17P06TM указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FQD17P06TM в наличии?
Сейчас на странице указано 31131 шт. на складе и 21745 шт. доступно для FQD17P06TM. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FQD17P06TM?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FQD17P06TM от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FQD17P06TM?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FQD17P06TM от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FQD17P06TM?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FQD17P06TM.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFU5305PBF
144 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.69Добавить в список RFQ
FQP17P10
149 покупали
TO-220
RoHS
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
Ориентировочная цена
$0.52Добавить в список RFQ
FDS6680A
207 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.72Добавить в список RFQ
IRF2204SPBF
158 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.86Добавить в список RFQ
IRFR024NTRPBF
133 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Ориентировочная цена
$0.10Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.