Что такое CSD16411Q3?
CSD16411Q3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Texas InstrumentsДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных CSD16411Q3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
NexFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для CSD16411Q3 от Texas Instruments в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
The CSD16411Q3 is a high-performance power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Texas Instruments. It is designed for applications requiring efficient power management, such as in power supplies, motor drives, and other high-frequency switching applications.
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Contains Lead
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Manufacturer
Texas
Element Configuration
Single
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Nominal Vgs
2 V
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250μA
Series
NexFET™
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Thickness
1mm
Length
3.3mm
Width
3.3mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
16V
Drain to Source Breakdown Voltage
25V
Vgs (Max)
+16V, -12V
Threshold Voltage
2V
Power Dissipation
2.7W
Power Dissipation-Max
2.7W Ta
Fall Time (Typ)
3.1 ns
Continuous Drain Current (ID)
56A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.8nC @ 4.5V
Package / Case
8-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 12.5V
Feedback Cap-Max (Crss)
43 pF
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A Ta 56A Tc
Base Part Number
CSD16411
Manufacturer's Part No.
CSD16411Q3
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
6 ns
Dual Supply Voltage
25V
Turn On Delay Time
5.3 ns
Rise Time
7.8ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD16411Q3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для CSD16411Q3?
Для CSD16411Q3 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли CSD16411Q3 в наличии?
Сейчас на странице указано 33937 шт. на складе и 11087 шт. доступно для CSD16411Q3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для CSD16411Q3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD16411Q3 от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для CSD16411Q3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для CSD16411Q3 от Texas Instruments, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом CSD16411Q3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD16411Q3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF644SPBF
226 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.31Добавить в список RFQ
IRFR4615TRLPBF
198 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Ориентировочная цена
$0.38Добавить в список RFQ
IXFN180N10
190 покупали
SOT-
RoHS
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Ориентировочная цена
$30.00Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.