Что такое FDN359AN?
FDN359AN — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDN359AN, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDN359AN от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Product Attribute
Part Status
Active
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Current Rating
2.7A
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Published
2017
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Weight
30mg
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Height
1.12mm
Series
PowerTrench®
Power Dissipation-Max
500mW Ta
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Power Dissipation
500mW
Voltage - Rated DC
30V
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Additional Feature
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Fall Time (Typ)
13 ns
Width
3.05mm
Length
2.92mm
Nominal Vgs
1.6 V
Threshold Voltage
1.6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46m Ω @ 2.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 10V
Manufacturer's Part No.
FDN359AN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.7A Ta
Continuous Drain Current (ID)
2.7A
Resistance
46mOhm
Turn-Off Delay Time
15 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
30V
Rise Time
13ns
Turn On Delay Time
6 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDN359AN, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDN359AN?
Для FDN359AN указан корпус SSOT-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDN359AN в наличии?
Сейчас на странице указано 75418 шт. на складе и 42172 шт. доступно для FDN359AN. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDN359AN?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDN359AN от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDN359AN?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDN359AN от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDN359AN?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDN359AN.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF7241TRPBF
146 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.42Добавить в список RFQ
STD17NF03LT4
190 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Ориентировочная цена
$0.22Добавить в список RFQ
MTD3055VL
176 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Ориентировочная цена
$2.01Добавить в список RFQ
FQD2N100TM
163 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Ориентировочная цена
$0.53Добавить в список RFQ
FDC606P
225 покупали
SSOT-6
RoHS
MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
IRFU420PBF
160 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.59Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.