Что такое BUZ30A?
BUZ30A — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Infineon TechnologiesДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных BUZ30A, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
SIPMOS®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для BUZ30A от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
MATTE TIN
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
250 ns
Product Parameter
Turn On Delay Time
30 ns
Product Parameter
Dual Supply Voltage
200V
Product Parameter
Rise Time
70ns
Terminal Finish
MATTE TIN
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
250 ns
Turn On Delay Time
30 ns
Dual Supply Voltage
200V
Rise Time
70ns
Reverse Recovery Time
180 ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Pitch
2.54mm
Packaging
Tube
Lead Free
Contains Lead
Published
2005
Part Status
Obsolete
Length
10mm
Qualification Status
Not Qualified
Width
4.4mm
Current Rating
21A
Element Configuration
Single
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Series
SIPMOS®
Additional Feature
AVALANCHE RATED
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Nominal Vgs
3 V
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Pin Count
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Terminations
3
Termination
Through Hole
Voltage - Rated DC
200V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Fall Time (Typ)
90 ns
Power Dissipation
125W
Power Dissipation-Max
125W Tc
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 25V
Resistance
130mOhm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A Tc
Continuous Drain Current (ID)
21A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
84A
Avalanche Energy Rating (Eas)
450 mJ
Height
9.25mm
Manufacturer's Part No.
BUZ30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130m Ω @ 13.5A, 10V
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют BUZ30A, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для BUZ30A?
Для BUZ30A указан корпус TO-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли BUZ30A в наличии?
Сейчас на странице указано 84724 шт. на складе и 80590 шт. доступно для BUZ30A. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для BUZ30A?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для BUZ30A от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для BUZ30A?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для BUZ30A от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом BUZ30A?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для BUZ30A.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFS4310TRLPBF
196 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.35Добавить в список RFQ
FQD13N10LTM
171 покупали
TO-252
RoHS
N-Channel 100V 10A 2V @ 250uA 180mΩ @ 5A,10V 2.5W TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS
Ориентировочная цена
$0.35Добавить в список RFQ
IRFR5410TRPBF
152 покупали
RoHS
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Ориентировочная цена
$0.18Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.