Поставка оригинальных BS870-7-F, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3

Поставка оригинальных BS870-7-F, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Diodes Incorporated | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

BS870-7-F

Внутренний код

TCE000045162

Упаковка

SOT23

Производитель

Diodes Incorporated

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для BS870-7-F от Diodes Incorporated в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

Published

2008

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Part Status
Active
Published
2008
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
16 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Nominal Vgs
2 V
Manufacturer
Diodes Incorporated
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight
7.994566mg
Subcategory
FET General Purpose Powers
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Length
2.9mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Height
1mm
Number of Terminations
3
Power Dissipation
300mW
Resistance
5Ohm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Voltage - Rated DC
60V
Width
1.3mm
Drain to Source Breakdown Voltage
80V
Current Rating
250mA
Power Dissipation-Max
300mW Ta
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Feedback Cap-Max (Crss)
5 pF
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 Ω @ 200mA, 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID)
0.25A
Manufacturer's Part No.
BS870-7-F
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
250mA Ta
Continuous Drain Current (ID)
250mA
Turn-Off Delay Time
5 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
60V
Turn On Delay Time
2 ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют BS870-7-F, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое BS870-7-F?

BS870-7-F — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Diodes Incorporated. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для BS870-7-F?

Для BS870-7-F указан корпус SOT23. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли BS870-7-F в наличии?

Сейчас на странице указано 18034 шт. на складе и 15705 шт. доступно для BS870-7-F. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для BS870-7-F?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для BS870-7-F от Diodes Incorporated. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для BS870-7-F?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для BS870-7-F от Diodes Incorporated, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом BS870-7-F?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для BS870-7-F.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.