Что такое SIR172DP-T1-GE3?
SIR172DP-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SIR172DP-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SIR172DP-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Product Parameter
Turn On Delay Time
19 ns
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
19 ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn On Delay Time
19 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Turn-Off Delay Time
19 ns
Rise Time
19ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
JESD-30 Code
R-XDSO-C5
ECCN Code
EAR99
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Published
2013
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Terminal Form
C BEND
Weight
506.605978mg
Series
TrenchFET®
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Nominal Vgs
2.5 V
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
50A
Fall Time (Typ)
13 ns
Continuous Drain Current (ID)
20A
Threshold Voltage
2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Power Dissipation
3.9W
DS Breakdown Voltage-Min
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A Tc
Resistance
12.4MOhm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
997pF @ 15V
Avalanche Energy Rating (Eas)
22 mJ
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.9m Ω @ 16.1A, 10V
Manufacturer's Part No.
SIR172DP-T1-GE3
Power Dissipation-Max
29.8W Tc
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIR172DP-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SIR172DP-T1-GE3?
Для SIR172DP-T1-GE3 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SIR172DP-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 25765 шт. на складе и 24480 шт. доступно для SIR172DP-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SIR172DP-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIR172DP-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SIR172DP-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIR172DP-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SIR172DP-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIR172DP-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
SIR462DP-T1-GE3
219 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Ориентировочная цена
$3.50Добавить в список RFQ
FDB2710
194 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Ориентировочная цена
$19.66Добавить в список RFQ
IRF3703PBF
153 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB
Ориентировочная цена
$1.59Добавить в список RFQ
FDV305N
203 покупали
SOT-23
RoHS
MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23
Ориентировочная цена
$0.05Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.