Что такое SIR866DP-T1-GE3?
SIR866DP-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SIR866DP-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SIR866DP-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Factory Lead Time
13 Weeks
Product Attribute
Packaging
Tape & Reel (TR)
Product Attribute
Part Status
Obsolete
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
13 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Published
2015
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Terminal Form
C BEND
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250μA
Weight
506.605978mg
Series
TrenchFET®
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Length
4.9mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
107nC @ 10V
Threshold Voltage
2.3V
Drain to Source Breakdown Voltage
20V
Continuous Drain Current (ID)
60A
Height
1.04mm
Width
5.89mm
Fall Time (Typ)
49 ns
Power Dissipation
5.4W
Power Dissipation-Max
5.4W Ta 83W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4730pF @ 10V
Resistance
1.9mOhm
Drain Current-Max (Abs) (ID)
39A
Manufacturer's Part No.
SIR866DP-T1-GE3
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn On Delay Time
42 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Rise Time
23ns
Turn-Off Delay Time
66 ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
JESD-30 Code
R-XDSO-C5
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIR866DP-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SIR866DP-T1-GE3?
Для SIR866DP-T1-GE3 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SIR866DP-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 14785 шт. на складе и 12388 шт. доступно для SIR866DP-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SIR866DP-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIR866DP-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SIR866DP-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIR866DP-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SIR866DP-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIR866DP-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDS4465
160 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.49Добавить в список RFQ
IRLL024NTRPBF
169 покупали
SOT223
RoHS
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Ориентировочная цена
$0.13Добавить в список RFQ
STB60NF06LT4
201 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.34Добавить в список RFQ
IRFR4105ZTRPBF
187 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Ориентировочная цена
$0.41Добавить в список RFQ
FQB27P06TM
196 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.99Добавить в список RFQ
IRFU5505PBF
216 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.40Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.