Что такое FDC602P?
FDC602P — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDC602P, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDC602P от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Product Parameter
Number of Channels
1
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
-20V
Rise Time
11ns
Turn On Delay Time
15 ns
Turn-Off Delay Time
57 ns
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2001
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
1.1mm
Width
1.7mm
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Voltage - Rated DC
-20V
Drain to Source Breakdown Voltage
-20V
Length
3mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Power Dissipation
1.6W
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
2.5V 4.5V
Power Dissipation-Max
1.6W Ta
Vgs (Max)
±12V
Nominal Vgs
-900 mV
Threshold Voltage
-900mV
Fall Time (Typ)
11 ns
Resistance
35MOhm
Voltage
20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.5A Ta
Current Rating
-5.5A
Continuous Drain Current (ID)
-5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35m Ω @ 5.5A, 4.5V
Current
55A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1456pF @ 10V
Manufacturer's Part No.
FDC602P
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDC602P, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDC602P?
Для FDC602P указан корпус SSOT-6. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDC602P в наличии?
Сейчас на странице указано 31715 шт. на складе и 11931 шт. доступно для FDC602P. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDC602P?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDC602P от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDC602P?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDC602P от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDC602P?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDC602P.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRLZ44ZSTRLPBF
201 покупали
2010
RoHS
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.22Добавить в список RFQ
NTMS5P02R2G
205 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.26Добавить в список RFQ
FDB8030L
171 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Ориентировочная цена
$3.13Добавить в список RFQ
FDD4243
129 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK
Ориентировочная цена
$0.28Добавить в список RFQ
FQD1N60CTM
201 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Ориентировочная цена
$0.26Добавить в список RFQ
STB45NF06T4
165 покупали
TO-263-4
RoHS
MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.80Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.