Что такое FDS6898AZ?
FDS6898AZ — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Поставка оригинальных FDS6898AZ, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDS6898AZ от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Product Parameter
Dual Supply Voltage
20V
Product Parameter
Number of Elements
2
Product Parameter
Turn On Delay Time
10 ns
Product Parameter
Rise Time
15ns
Product Parameter
FET Feature
Logic Level Gate
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Dual Supply Voltage
20V
Number of Elements
2
Turn On Delay Time
10 ns
Rise Time
15ns
FET Feature
Logic Level Gate
Turn-Off Delay Time
34 ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Termination
SMD/SMT
Terminal Form
GULL WING
Qualification Status
Not Qualified
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Manufacturer
ON Semiconductor
Max Power Dissipation
2W
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Additional Feature
ESD PROTECTED
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Nominal Vgs
1 V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Contact Plating
Tin
Width
4mm
Height
1.5mm
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Element Configuration
Dual
Fall Time (Typ)
16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Power Dissipation
2W
Threshold Voltage
1V
Voltage - Rated DC
20V
Power - Max
900mW
Weight
187mg
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Resistance
14mOhm
Drain to Source Breakdown Voltage
20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4.5V
Continuous Drain Current (ID)
9.4A
Current Rating
9.4A
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14m Ω @ 9.4A, 4.5V
Manufacturer's Part No.
FDS6898AZ
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDS6898AZ, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDS6898AZ?
Для FDS6898AZ указан корпус 8SOIC. Текущее описание товара: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDS6898AZ в наличии?
Сейчас на странице указано 11778 шт. на складе и 11168 шт. доступно для FDS6898AZ. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDS6898AZ?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDS6898AZ от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDS6898AZ?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDS6898AZ от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDS6898AZ?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDS6898AZ.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
NTMD6N02R2G
201 покупали
SOIC
RoHS
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
Ориентировочная цена
$1.97Добавить в список RFQ
BSS8402DW-7-F
215 покупали
SC70-6
RoHS
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
Ориентировочная цена
$0.03Добавить в список RFQ
FDC6312P
206 покупали
SSOT-6
RoHS
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.31Добавить в список RFQ
FDC6303N
216 покупали
SSOT6
RoHS
MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Ориентировочная цена
$1.17Добавить в список RFQ
FDC6401N
168 покупали
SSOT-6
RoHS
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
Ориентировочная цена
$4.43Добавить в список RFQ
DMHC3025LSD-13
201 покупали
SOIC
RoHS
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
Ориентировочная цена
$0.22Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.