Что такое FDC6303N?
FDC6303N — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Поставка оригинальных FDC6303N, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDC6303N от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.21.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Turn-Off Delay Time
17 ns
Number of Channels
2
Number of Elements
2
Turn On Delay Time
3 ns
Dual Supply Voltage
25V
FET Feature
Logic Level Gate
Rise Time
8.5ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
1997
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Termination
SMD/SMT
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
1.1mm
Width
1.7mm
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Weight
36mg
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Length
3mm
Element Configuration
Dual
Additional Feature
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Fall Time (Typ)
13 ns
Power Dissipation
900mW
Max Power Dissipation
900mW
Drain to Source Breakdown Voltage
25V
Voltage - Rated DC
25V
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Threshold Voltage
800mV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Continuous Drain Current (ID)
680mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
Nominal Vgs
800 mV
Resistance
450mOhm
Current Rating
680mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450m Ω @ 500mA, 4.5V
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Power - Max
700mW
Manufacturer's Part No.
FDC6303N
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDC6303N, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDC6303N?
Для FDC6303N указан корпус SSOT6. Текущее описание товара: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDC6303N в наличии?
Сейчас на странице указано 29788 шт. на складе и 26733 шт. доступно для FDC6303N. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDC6303N?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDC6303N от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDC6303N?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDC6303N от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDC6303N?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDC6303N.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
NDC7003P
155 покупали
SSOT6
RoHS
MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
Ориентировочная цена
$19.00Добавить в список RFQ
FDC6333C
185 покупали
SSOT6
RoHS
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Ориентировочная цена
$0.12Добавить в список RFQ
IRF7103TRPBF
128 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.12Добавить в список RFQ
FDD8424H
136 покупали
TO-252-5
RoHS
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
Ориентировочная цена
$0.53Добавить в список RFQ
FDC6312P
206 покупали
SSOT-6
RoHS
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.31Добавить в список RFQ
FDS6900AS
202 покупали
8SOIC
RoHS
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Ориентировочная цена
$1.00Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.