Что такое FDC6312P?
FDC6312P — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Поставка оригинальных FDC6312P, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDC6312P от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Published
2001
Product Attribute
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Published
2001
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Termination
SMD/SMT
Terminal Form
GULL WING
Qualification Status
Not Qualified
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
1.1mm
Width
1.7mm
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Max Power Dissipation
960mW
Weight
36mg
Series
PowerTrench®
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Voltage - Rated DC
-20V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Drain to Source Breakdown Voltage
-20V
Length
3mm
Element Configuration
Dual
Fall Time (Typ)
13 ns
Power Dissipation
960mW
Resistance
115mOhm
Nominal Vgs
-900 mV
Threshold Voltage
-900mV
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Continuous Drain Current (ID)
2.3A
Power - Max
700mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Current Rating
-2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
467pF @ 10V
Manufacturer's Part No.
FDC6312P
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115m Ω @ 2.3A, 4.5V
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Channels
2
Dual Supply Voltage
-20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Number of Elements
2
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Rise Time
13ns
Turn On Delay Time
8 ns
FET Feature
Logic Level Gate
Turn-Off Delay Time
18 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDC6312P, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDC6312P?
Для FDC6312P указан корпус SSOT-6. Текущее описание товара: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDC6312P в наличии?
Сейчас на странице указано 94078 шт. на складе и 25263 шт. доступно для FDC6312P. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDC6312P?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDC6312P от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDC6312P?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDC6312P от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDC6312P?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDC6312P.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDS6898A
224 покупали
8SOIC
RoHS
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Ориентировочная цена
$1.21Добавить в список RFQ
IRF7328TRPBF
203 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.66Добавить в список RFQ
IRF7324TRPBF
154 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$2.69Добавить в список RFQ
FDS4935BZ
163 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.28Добавить в список RFQ
IRF7313TRPBF
179 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.22Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.