Что такое FDB8030L?
FDB8030L — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDB8030L, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDB8030L от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Factory Lead Time
15 Weeks
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
15 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Published
2017
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250μA
Operating Temperature
-65°C~175°C TJ
Series
PowerTrench®
Weight
1.31247g
Current Rating
80A
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Voltage - Rated DC
30V
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Threshold Voltage
1.5V
Additional Feature
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Height
4.83mm
Width
9.65mm
Nominal Vgs
1.5 V
Continuous Drain Current (ID)
80A
Fall Time (Typ)
200 ns
Resistance
3.5mOhm
Length
10.97mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A Ta
Power Dissipation
187W
Power Dissipation-Max
187W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5m Ω @ 80A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10500pF @ 15V
Manufacturer's Part No.
FDB8030L
Turn-Off Delay Time
160 ns
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
20 ns
Rise Time
185ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDB8030L, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDB8030L?
Для FDB8030L указан корпус TO-263-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDB8030L в наличии?
Сейчас на странице указано 53643 шт. на складе и 19102 шт. доступно для FDB8030L. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDB8030L?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDB8030L от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDB8030L?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDB8030L от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDB8030L?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDB8030L.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
SI2323DS-T1-E3
139 покупали
SOT23
RoHS
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.20Добавить в список RFQ
SI2304BDS-T1-E3
187 покупали
SOT23
RoHS
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.20Добавить в список RFQ
SI2312BDS-T1-E3
222 покупали
SOT23
RoHS
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.09Добавить в список RFQ
SI2303BDS-T1-E3
160 покупали
SOT23
RoHS
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.25Добавить в список RFQ
SI2337DS-T1-E3
214 покупали
SOT23
RoHS
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.32Добавить в список RFQ
DMN3404L-7
219 покупали
SOT-23
RoHS
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
Ориентировочная цена
$0.02Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.