Что такое FDB28N30TM?
FDB28N30TM — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDB28N30TM, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
UniFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDB28N30TM от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Published
2007
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2007
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Factory Lead Time
4 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Form
GULL WING
Reach Compliance Code
not_compliant
Qualification Status
Not Qualified
Length
10.67mm
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight
1.31247g
Vgs (Max)
±30V
Width
11.33mm
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Height
4.83mm
Threshold Voltage
5V
Series
UniFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Power Dissipation
250W
Power Dissipation-Max
250W Tc
Fall Time (Typ)
69 ns
Continuous Drain Current (ID)
28A
Drain to Source Breakdown Voltage
300V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2250pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A Tc
Resistance
129mOhm
Avalanche Energy Rating (Eas)
588 mJ
Manufacturer's Part No.
FDB28N30TM
Rds On (Max) @ Id, Vgs
129m Ω @ 14A, 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
35 ns
Rise Time
135ns
Turn-Off Delay Time
79 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDB28N30TM, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDB28N30TM?
Для FDB28N30TM указан корпус TO-263-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDB28N30TM в наличии?
Сейчас на странице указано 71985 шт. на складе и 71985 шт. доступно для FDB28N30TM. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDB28N30TM?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDB28N30TM от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDB28N30TM?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDB28N30TM от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDB28N30TM?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDB28N30TM.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF1324S-7PPBF
188 покупали
TO-263-7
RoHS
MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7
Ориентировочная цена
$2.78Добавить в список RFQ
SI3433CDV-T1-GE3
128 покупали
SOT-23-6
RoHS
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Ориентировочная цена
$0.78Добавить в список RFQ
FDT3612
195 покупали
SOT-223
RoHS
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223
Ориентировочная цена
$0.32Добавить в список RFQ
FDP2532
224 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB
Ориентировочная цена
$3.22Добавить в список RFQ
SI2303CDS-T1-GE3
162 покупали
SOT23
RoHS
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.03Добавить в список RFQ
IRF7832TRPBF
175 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.28Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.