Что такое FDB15N50?
FDB15N50 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDB15N50, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDB15N50 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Published
2003
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Terminal Form
GULL WING
Length
10.67mm
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight
1.31247g
Power Dissipation
300W
Power Dissipation-Max
300W Tc
Vgs (Max)
±30V
Width
11.33mm
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Current Rating
15A
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Voltage - Rated DC
500V
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Height
4.83mm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
60A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Fall Time (Typ)
5 ns
Continuous Drain Current (ID)
15A
Drain to Source Breakdown Voltage
500V
Resistance
380MOhm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A Tc
Avalanche Energy Rating (Eas)
760 mJ
Nominal Vgs
3.4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1850pF @ 25V
Manufacturer's Part No.
FDB15N50
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380m Ω @ 7.5A, 10V
Threshold Voltage
3.4V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
9 ns
Turn-Off Delay Time
26 ns
Rise Time
5.4ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDB15N50, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDB15N50?
Для FDB15N50 указан корпус TO-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDB15N50 в наличии?
Сейчас на странице указано 31549 шт. на складе и 15408 шт. доступно для FDB15N50. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDB15N50?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDB15N50 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDB15N50?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDB15N50 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDB15N50?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDB15N50.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFU120NPBF
220 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.12Добавить в список RFQ
CSD18540Q5BT
201 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Ориентировочная цена
$0.68Добавить в список RFQ
FDB3632
215 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.69Добавить в список RFQ
SI3459BDV-T1-E3
178 покупали
TSOP
RoHS
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
Ориентировочная цена
$0.35Добавить в список RFQ
FCB11N60TM
153 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.96Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.