Поставка оригинальных CSD18540Q5BT, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от texas

Поставка оригинальных CSD18540Q5BT, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от texas | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
CSD18540Q5BT
Внутренний код
TCE000012789
Упаковка
-
Серия
NexFET™
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Минимальное количество
1
Производитель
texas
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии409,028
Доступно524,669

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Part Status
Active
Contact Plating
Gold
Pbfree Code
Yes
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Length
5mm
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Width
6mm
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Reach Compliance Code
not_compliant
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Manufacturer
Texas
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Element Configuration
Single
Height
1.05mm
Terminal Form
NO LEAD
Fall Time (Typ)
3 ns
Thickness
950μm
Threshold Voltage
1.9V
Weight
24.012046mg
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Max Junction Temperature (Tj)
175°C
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
DS Breakdown Voltage-Min
60V
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Power Dissipation
3.8W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
400A
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250μA
Manufacturer's Part No.
CSD18540Q5BT
Drain-source On Resistance-Max
0.0033Ohm
Power Dissipation-Max
3.1W Ta 195W Tc
Series
NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2m Ω @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A Ta
Avalanche Energy Rating (Eas)
320 mJ
Base Part Number
CSD18540
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4230pF @ 30V
Package / Case
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID)
29A

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095

Product Parameter

Number of Channels
1
Number of Elements
1
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
20 ns
Turn On Delay Time
6 ns
Rise Time
9ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.