Поставка оригинальных FCPF22N60NT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F

Поставка оригинальных FCPF22N60NT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

FCPF22N60NT

Внутренний код

TCE000043164

Упаковка

TO-

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

SupreMOS™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для FCPF22N60NT от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Terminal Finish

Tin (Sn)

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

49 ns

Product Parameter

Turn On Delay Time

16.9 ns

Product Parameter

Rise Time

16.7ns

Product Attribute

Part Status

Active

Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
49 ns
Turn On Delay Time
16.9 ns
Rise Time
16.7ns
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Length
10.16mm
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Factory Lead Time
15 Weeks
Published
2013
Reach Compliance Code
not_compliant
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
66A
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Terminations
3
Width
4.7mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Threshold Voltage
3V
Case Connection
ISOLATED
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Weight
2.27g
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Continuous Drain Current (ID)
22A
Fall Time (Typ)
4 ns
Power Dissipation-Max
39W Tc
Power Dissipation
39W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Series
SupreMOS™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22A Tc
Resistance
165mOhm
Height
15.9mm
Vgs (Max)
±45V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165m Ω @ 11A, 10V
Avalanche Energy Rating (Eas)
672 mJ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1950pF @ 100V
Manufacturer's Part No.
FCPF22N60NT
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FCPF22N60NT, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое FCPF22N60NT?

FCPF22N60NT — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для FCPF22N60NT?

Для FCPF22N60NT указан корпус TO-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли FCPF22N60NT в наличии?

Сейчас на странице указано 16942 шт. на складе и 16942 шт. доступно для FCPF22N60NT. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для FCPF22N60NT?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FCPF22N60NT от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для FCPF22N60NT?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FCPF22N60NT от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом FCPF22N60NT?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FCPF22N60NT.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.