Что такое FDD4685?
FDD4685 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDD4685, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDD4685 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn On Delay Time
8 ns
Product Parameter
Rise Time
15ns
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Product Parameter
Dual Supply Voltage
-40V
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
34 ns
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
8 ns
Rise Time
15ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Dual Supply Voltage
-40V
Turn-Off Delay Time
34 ns
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Factory Lead Time
8 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
2.39mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Subcategory
Other Transistors
Length
6.73mm
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Power Dissipation
69W
Resistance
27mOhm
Series
PowerTrench®
Threshold Voltage
-1.6V
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Nominal Vgs
-1.6 V
Weight
260.37mg
Voltage - Rated DC
-40V
Drain to Source Breakdown Voltage
-40V
Fall Time (Typ)
14 ns
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Drain Current-Max (Abs) (ID)
40A
Continuous Drain Current (ID)
8.4mA
Base Part Number
FDD4685
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.4A Ta 32A Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27m Ω @ 8.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2380pF @ 20V
Power Dissipation-Max
69W Tc
Current Rating
-8.4A
Manufacturer's Part No.
FDD4685
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDD4685, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDD4685?
Для FDD4685 указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDD4685 в наличии?
Сейчас на странице указано 79672 шт. на складе и 36425 шт. доступно для FDD4685. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDD4685?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDD4685 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDD4685?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDD4685 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDD4685?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDD4685.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IXFN150N15
132 покупали
SOT-227
RoHS
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
IRFR13N15DTRPBF
150 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Ориентировочная цена
$0.53Добавить в список RFQ
FDC655BN
181 покупали
SSOT-6
RoHS
MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.10Добавить в список RFQ
FDPF51N25
172 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
Ориентировочная цена
$1.01Добавить в список RFQ
IRLL2705TRPBF
149 покупали
SOT223
RoHS
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Ориентировочная цена
$0.25Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.