Поставка оригинальных STD5N20LT4, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от STMicroelectronics

Поставка оригинальных STD5N20LT4, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от STMicroelectronics | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
STD5N20LT4
Внутренний код
TCE000012862
Упаковка
-
Серия
STripFET™
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Минимальное количество
1
Производитель
STMicroelectronics
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии225,985
Доступно755,052

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Voltage - Rated DC
200V
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Number of Terminations
2
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Current Rating
5A
Continuous Drain Current (ID)
5A
Drain Current-Max (Abs) (ID)
5A
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Pin Count
3
Reflow Temperature-Max (s)
30
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Width
6.2mm
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
5V
Length
6.6mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Threshold Voltage
2.5V
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Element Configuration
Single
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
20A
Manufacturer
STMicroelectronics
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5A Tc
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Resistance
700mOhm
Base Part Number
STD5N
Manufacturer's Part No.
STD5N20LT4
Series
STripFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 50μA
Power Dissipation-Max
33W Tc
Power Dissipation
33W
Fall Time (Typ)
15.5 ns
Nominal Vgs
2.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700m Ω @ 2.5A, 5V
Height
2.63mm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
242pF @ 25V

Product Parameter

Dual Supply Voltage
200V
Number of Elements
1
Number of Channels
1
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Turn-Off Delay Time
14 ns
Turn On Delay Time
11.5 ns
Rise Time
21.5ns

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.