Поставка оригинальных FDT439N, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223

Поставка оригинальных FDT439N, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

FDT439N

Внутренний код

TCE000045480

Упаковка

SOT-223

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для FDT439N от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

REACH SVHC

No SVHC

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

Product Attribute

Part Status

Active

JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
1999
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
18 Weeks
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Vgs (Max)
±8V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Number of Terminations
4
Voltage - Rated DC
30V
Length
6.5mm
Power Dissipation
3W
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Number of Pins
4
Height
1.8mm
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 10 hours ago)
Resistance
45mOhm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
20A
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
2.5V 4.5V
Power Dissipation-Max
3W Ta
Width
3.56mm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Fall Time (Typ)
10 ns
Weight
250.2mg
Continuous Drain Current (ID)
6.3A
Current Rating
6.3A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.3A Ta
Threshold Voltage
670mV
Nominal Vgs
670 mV
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45m Ω @ 6.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 15V
Manufacturer's Part No.
FDT439N
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
30 ns
Dual Supply Voltage
30V
Turn On Delay Time
6 ns
Rise Time
10ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDT439N, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое FDT439N?

FDT439N — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для FDT439N?

Для FDT439N указан корпус SOT-223. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли FDT439N в наличии?

Сейчас на странице указано 26087 шт. на складе и 12601 шт. доступно для FDT439N. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для FDT439N?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDT439N от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для FDT439N?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDT439N от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом FDT439N?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDT439N.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.