Что такое FDV305N?
FDV305N — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDV305N, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDV305N от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Published
2003
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2003
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Power Dissipation
350mW
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Weight
30mg
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Drain Current-Max (Abs) (ID)
0.9A
Continuous Drain Current (ID)
900mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
900mA Ta
Series
PowerTrench®
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
Number of Terminations
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Width
1.3mm
Threshold Voltage
1V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
2.5V 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Power Dissipation-Max
350mW Ta
Length
2.92mm
Voltage - Rated DC
20V
Drain to Source Breakdown Voltage
20V
Fall Time (Typ)
7 ns
Resistance
220mOhm
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220m Ω @ 900mA, 4.5V
Current Rating
900mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
109pF @ 10V
Height
930μm
Manufacturer's Part No.
FDV305N
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
20V
Turn-Off Delay Time
8 ns
Turn On Delay Time
4.5 ns
Rise Time
7ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDV305N, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDV305N?
Для FDV305N указан корпус SOT-23. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDV305N в наличии?
Сейчас на странице указано 84975 шт. на складе и 55832 шт. доступно для FDV305N. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDV305N?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDV305N от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDV305N?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDV305N от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDV305N?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDV305N.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FCD4N60TM
204 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Ориентировочная цена
$0.44Добавить в список RFQ
IRF540ZPBF
148 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.42Добавить в список RFQ
IRFU5505PBF
216 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.40Добавить в список RFQ
IRF644SPBF
226 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.31Добавить в список RFQ
SI2333DS-T1-E3
164 покупали
SOT23
RoHS
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.34Добавить в список RFQ
IRF3205ZPBF
186 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.40Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.