Что такое FDZ3N513ZT?
FDZ3N513ZT — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDZ3N513ZT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDZ3N513ZT от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Packaging
Tape & Reel (TR)
Product Attribute
Part Status
Obsolete
Product Attribute
Published
2016
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Published
2016
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Terminal Form
BALL
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Power Dissipation-Max
1W Ta
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Power Dissipation
1W
Terminal Position
BOTTOM
Number of Terminations
4
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Number of Pins
4
Length
1mm
Additional Feature
ESD PROTECTION
Lifecycle Status
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.1A Ta
Continuous Drain Current (ID)
1.1A
Package / Case
4-UFBGA, WLCSP
Threshold Voltage
700mV
Nominal Vgs
700 mV
Width
1mm
Operating Temperature
-55°C~125°C TJ
Gate to Source Voltage (Vgs)
5.5V
Height
332μm
Operating Mode
DEPLETION MODE
Manufacturer's Part No.
FDZ3N513ZT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
462m Ω @ 300mA, 4.5V
Drain-source On Resistance-Max
0.52Ohm
Fall Time (Typ)
2.7 ns
Feedback Cap-Max (Crss)
25 pF
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
3.2V 4.5V
Weight
42mg
Vgs (Max)
+5.5V, -0.3V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
85pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e1
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Number of Elements
1
Peak Reverse Current
300μA
Turn On Delay Time
3.1 ns
Forward Current
1.1A
Rise Time
1.9ns
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
25V
FET Feature
Schottky Diode (Body)
Turn-Off Delay Time
9.6 ns
Reverse Recovery Time
29 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDZ3N513ZT, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDZ3N513ZT?
Для FDZ3N513ZT указан корпус WLCSP. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDZ3N513ZT в наличии?
Сейчас на странице указано 12417 шт. на складе и 12417 шт. доступно для FDZ3N513ZT. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDZ3N513ZT?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDZ3N513ZT от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDZ3N513ZT?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDZ3N513ZT от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDZ3N513ZT?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDZ3N513ZT.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FQP3N80C
143 покупали
TO-220
RoHS
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
Ориентировочная цена
$0.60Добавить в список RFQ
IRF1405STRLPBF
191 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.22Добавить в список RFQ
FDC606P
225 покупали
SSOT-6
RoHS
MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
FDC604P
128 покупали
SSOT-6
RoHS
MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
SI2318DS-T1-E3
181 покупали
SOT23
RoHS
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.14Добавить в список RFQ
IRL1004SPBF
217 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.90Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.