Что такое FDZ191P?
FDZ191P — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDZ191P, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDZ191P от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e1
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e1
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Turn On Delay Time
11 ns
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Turn-Off Delay Time
50 ns
Rise Time
10ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2009
Factory Lead Time
10 Weeks
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Terminal Form
BALL
Contact Plating
Copper, Silver, Tin
Height
370μm
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Vgs (Max)
±8V
Voltage - Rated DC
-20V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Drain to Source Breakdown Voltage
-20V
Terminal Position
BOTTOM
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A Ta
Drain Current-Max (Abs) (ID)
3A
Current Rating
-3A
Length
1.5mm
Continuous Drain Current (ID)
-3A
Fall Time (Typ)
10 ns
Resistance
85mOhm
Package / Case
6-UFBGA, WLCSP
Width
1mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
1.5V 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 10V
Weight
54mg
Threshold Voltage
600mV
Manufacturer's Part No.
FDZ191P
Power Dissipation-Max
1.9W Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85m Ω @ 1A, 4.5V
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDZ191P, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDZ191P?
Для FDZ191P указан корпус WLCSP. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDZ191P в наличии?
Сейчас на странице указано 60375 шт. на складе и 38072 шт. доступно для FDZ191P. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDZ191P?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDZ191P от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDZ191P?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDZ191P от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDZ191P?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDZ191P.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
BSP89H6327XTSA1
187 покупали
TO-261-4
RoHS
MOSFET N-CH 4SOT223
Ориентировочная цена
$0.41Добавить в список RFQ
AUIRFS3004-7TRL
198 покупали
TO-263-7
RoHS
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7P
Ориентировочная цена
$3.10Добавить в список RFQ
ZVN4310GTA
206 покупали
SOT223
RoHS
MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
Ориентировочная цена
$0.76Добавить в список RFQ
APT50M38JLL
183 покупали
SOT-227
RoHS
MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227
Ориентировочная цена
$13.00Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.